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内存条常识

来历::未知 | 作者:admin | 本文已影响 人

一、看懂内存条

咱们泛泛所说的“内存”多数是指“内存条”。那末甚么是“内存条”呢?罕见的“内存条”又有哪些范例呢?

1.内存条的降生

当CPU在任务时,须要从硬盘等内部存储器上读取数据,但因为硬盘这个“堆栈”太大,加上离CPU也很“远”,运输“质料”数据的速率就比拟慢,致使CPU的出产效力大打扣头!为领会决这个题目,人们便在CPU与内部存储器之间,建了一个“小堆栈”—内存。

内存固然容量不大,通俗只要几十MB到几百MB,但直达速率很是快,如斯一来,当CPU须要数据时,事前可以或许将局部数据寄存在内存中,以解CPU的迫在眉睫。因为内存只是一个“直达堆栈”,是以它并不能用来长时辰存储数据。

2.罕见的内存条

今朝PC中所用的内存首要有SDRAM、DDR SDRAM、RDRAM等三种范例。

曾支流—SDRAM

SDRAM(Synchronous DRAM)即“同步静态随机存储器”。SDRAM内存条的两面都有金手指,是间接插在内存条插槽中的,是以这类布局也叫“双列直插式”,英文名叫“DIMM”。今朝绝大局部内存条都接纳这类“DIMM”布局。

跟着处置器前端总线的不时进步,SDRAM已没法知足新型处置器的须要了,早已加入了支流市场。

本日支流—DDR SDRAM

DDR SDRAM(简称DDR)是接纳了DDR(Double Data Rate SDRAM,双倍数据速率)手艺的SDRAM,与通俗SDRAM比拟,在统临时钟周期内,DDR SDRAM能传输两次数据,而SDRAM只能传输一次数据。

从形状上看DDR内存条与SDRAM比拟差别并不大,它们具备一样的长度与一样的引脚间隔。只不过DDR内存条有184个引脚,金手指中也只要一个缺口,而SDRAM内存条是168个引脚,并且有两个缺口。


按照DDR内存条的任务频次,它又分为DDR200、DDR266、DDR333、DDR400等多种范例:与SDRAM一样,DDR也是与体系总线频次 同步的,不过因为双倍数据传输,是以任务在133MHz频次下的DDR相称于266MHz的SDRAM,因而便用DDR266来表现。

小提醒:任务频次表现内存所能稳定运转的最大频次,比方PC133规范的SDRAM的任务频次为133MHz,而DDR266 DDR的任务频次为266MHz。对内存而言,频次越高,其带宽越大。

除用任务频次来标示DDR内存条以外,偶然也用带宽值来标示,比方DDR 266的内存带宽为2100MB/s,以是又用PC2100来标示它,因而DDR333便是PC2700,DDR400便是PC3200了。

小提醒:内存带宽也叫“数据传输率”,是指单元时辰内经由进程内存的数据量,凡是以GB/s表现。咱们用一个冗长的公式来申明内存带宽的计较体例:内存带宽=任务频次×位宽/8×n(时钟脉冲高低沿传输系数,DDR的系数为2)。

因为DDR内存条价钱昂贵,机能超卓,是以成为本日支流的内存产物。

过期的贵族—RDRAM

RDRAM(存储器总线式静态随机存储器)是Rambus公司开辟的一种新型DRAM。RDRAM固然位宽比SDRAM及DDR的64bit窄,但当时钟频次要高良多。
从表面下去看,RDRAM内存条与SDRAM、DDR SDRAM内存条有点类似。

从手艺下去看,RDRAM是一种比拟进步前辈的内存,但因为价钱高,在市场上进步不是很现实。现在的RDRAM已加入了通俗台式机市场。

3.内存的封装

今朝内存的封装体例首要有TSOP、BGA、CSP等三种,封装体例也影响着内存条的机能好坏。

TSOP封装:TOSP(Thin Small Outline Package,薄型小尺寸封装)的一个典范特色便是在封装芯片的四周做出良多引脚。TSOP封装操纵便利,靠得住性比拟高,是今朝的支流封装体例。


BGA封装:BGA叫做“球栅阵列封装”,其最大的特色便是芯片的引脚数量增加了,组装制品率进步了。接纳BGA封装可以或许使内存在体积稳定的环境下将内存容量进步两到三倍,与TSOP比拟,它具备更小的体积、更好的散热机能和电机能。


CSP封装:CSP(Chip Scale Package,芯片级封装)作为新一代封装体例,其机能又有了很大的进步。CSP封装岂但体积小,同时也更薄,更能进步内存芯片长时辰运转的靠得住性,芯片速率也随之获得大幅度的进步。今朝该封装体例首要用于高频DDR内存。


二、内存强档

要进一步领会内存,以下的内容必然不能错过。此中内存的时钟周期、存取时辰和CAS提早时辰是权衡内存机能比拟间接的首要参数,它们都可以或许在主板BIOS中设置,这个题目将在今后先容BIOS的时辰具体论述。

1.时钟周期(TCK)

TCK 是“Clock Cycle Time”的缩写,即内存时钟周期。它代表了内存可以或许运转的最大任务频次,数字越小申明内存所能运转的频次就越高。时钟周期与内存的任务频次是成倒数的, 即TCK=1/F。比方一块标有“-10”字样的内存芯片,“-10”表现它的运转时钟周期为10ns,即可以或许在100MHz的频次下通俗任务。

2.存取时辰(TAC)

TAC(Access Time From CLK)表现“存取时辰”。与时钟周期差别,TAC仅仅代表拜候数据所须要的时辰。如一块标有“-7J”字样的内存芯片申明该内存条的存取时辰是7ns。 存取时辰越短,则该内存条的机能越好,比方说两根内存条都任务在133MHz下,此中一根的存取时辰为6ns,别的一根是7ns,则前者的速率要好过后 者。

3.CAS提早时辰(CL)

CL(CAS Latency)是内存机能的一个首要目标,它是内存纵向地点脉冲的反映时辰。当电脑须要向内存读取数据时,在现实读取之前通俗都有一个“缓冲期”,而 “缓冲期”的时辰长度,便是这个CL了。内存的CL值越低越好,是以,延长CAS的周期有助于加速内存在统一频次下的任务速率。

4.奇偶校验(ECC)

内存是一种数据直达“堆栈”,而在频仍的直达进程中,一旦搞错了数据怎样办?而ECC便是一种数据查验机制。ECC不只可以或许判定数据的准确性,还能改正大多数毛病。通俗PC中通俗不必这类内存,它们通俗利用在高真个办事器电脑中。

今朝市场上支流的内存有SDRAM和DDR SDRAM,内存条品牌首要有金士顿、三星、宇瞻、富豪、古代等等。


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